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西門子說明書 6ES7468-1BF00-0AA0
本公司主要經(jīng)營:西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列,觸摸屏6AV,DP接頭,6XV總線電纜,通訊模塊6GK系列,SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090,C98043等系列,6SE70,MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝,質(zhì)保一年。
6ES7468-1BF00-0AA06ES7323-1BL00-0AA0SIMATICS7-300,數(shù)字量模塊SM323,光電隔離,16DI和16DO,24VDC,0.5A,電流4A,40針6RA8085-6FV62-0AA0配置SINAMICS擴(kuò)張型心肌病的四象限傳動(dòng)連線(B6的)阿(B6的)C輸入:三相交流480V,498A場可控整流D500/600MREQ-GEGF6V62輸出:直流500V,600A直流變換器當(dāng)基本機(jī)架不能滿足系統(tǒng)要求時(shí),可通過擴(kuò)展機(jī)架對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行擴(kuò)展,擴(kuò)展方式有兩種: 62:FM350-1的鎖存功能是否能產(chǎn)生過程中斷? FM350-1的鎖存功能是不能產(chǎn)生過程中斷,但是可以產(chǎn)生過零中斷。 對(duì)于大型設(shè)備,由于需要短路接地監(jiān)控,必須采取浮動(dòng)參考電位來安裝S7-300。
柵極過電壓、過電流防護(hù)
傳統(tǒng)保護(hù)模式:防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件,如下圖的電阻RGE的作用,是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應(yīng)用中,IGBT通常是以模塊的形式存在,由IGBT與FWD(續(xù)流芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模半導(dǎo)體產(chǎn)品。使用模塊的優(yōu)點(diǎn)是IGBT已封裝好,安裝非常方便,并且外殼上具有散熱裝置,大功率工作時(shí)散熱快。另外,還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì),以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。然而即使這樣,在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中,以上方案仍然具有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明:這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系,而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞。
存儲(chǔ)模塊6DD1610-0AG1操作面板6SE7090-0XX84-2FB0-2FBO
功率單元6SL3352-1AE32-1AA1
功率單元6SL3352-1AE32-1AA1
顯示面板6SL3055-0AA00-4BA0
6SL3353-3AE32-1AA0功率數(shù)據(jù)板
SKKT213/16E晶閘管模塊
6SY7000-0AD07變頻器電容組
6RY1703-1HD01
電源板C98043-A7020-L4
6SE7022-6TC84-1HF3功率板
6SE7033-8EE85-0AA0整流回饋單元
6SL3040-0MA00-0AA1變頻器
6SL3053-0AA00-3AA0監(jiān)測模塊
A5E00123738 原風(fēng)扇風(fēng)機(jī)
A5E00453508光纖板
全新原裝6SE7041-8HK85-1HA0
整流單元觸發(fā)板C98043-A1685-L43
6SE7038-6GL84-1JA1電源板
6ES7468-1BF00-0AA059:FM357-2用*編碼器時(shí)應(yīng)注意什么?20:如何確定MMC的大小以便完整地存儲(chǔ)STEP7項(xiàng)目?因此你應(yīng)該只用標(biāo)識(shí)符"B#16#0"。 圖2-21過程映像刷斷在一個(gè)箱環(huán)內(nèi)的操作過程 10.局部數(shù)據(jù) 局部數(shù)據(jù)包括: 程序指令塊的臨時(shí)變里 組織塊的啟動(dòng)信息 傳送參數(shù) 中間結(jié)果 11.臨時(shí)變量 當(dāng)生成塊時(shí),可以聲明臨時(shí)變量(TEMP)。
目前,在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大,系統(tǒng)龐大,但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)和設(shè)計(jì)優(yōu)勢,結(jié)合瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn),在研究IGBT失效機(jī)理的基礎(chǔ)上,通過整合系統(tǒng)內(nèi)外部來突破設(shè)計(jì)瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式,探討IGBT系統(tǒng)設(shè)計(jì)的解決方案。
在較大輸出功率的場合,比如工業(yè)領(lǐng)域中的、UPS電源、EPS電源,新能源領(lǐng)域中的風(fēng)能發(fā)電、太陽能發(fā)電,新能源汽車領(lǐng)域的充電樁、電動(dòng)控制、車載里,隨處都可以看到IGBT的身影。
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢、負(fù)載突變都會(huì)引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底,IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時(shí)候,首先要關(guān)注原廠提供的數(shù)據(jù)、應(yīng)用手冊(cè)。在數(shù)據(jù)手冊(cè)中,尤其要關(guān)注的是IGBT重要參數(shù),如靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會(huì)告知我們IGBT的*值,就是*不能越的。設(shè)計(jì)完之后,在工作時(shí) IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR
6ES7468-1BF00-0AA0初始化模塊:OB100,只在系統(tǒng)開始運(yùn)行時(shí)調(diào)用一次,可用它對(duì)某些數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。不同的模式選擇開關(guān):
IGBT 的柵極-發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會(huì)損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極-發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會(huì)使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會(huì)損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。
在新能源汽車中,IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對(duì)于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對(duì) IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng):
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進(jìn)行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動(dòng)端子部分 , 必須接觸時(shí)要保證此時(shí)人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時(shí) , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機(jī)一定要可靠地接地。
A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅(qū)動(dòng)板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅(qū)動(dòng)板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅(qū)動(dòng)板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線連接線
A5E01540284連接線
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅(qū)動(dòng)板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅(qū)動(dòng)板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725
6ES7468-1BF00-0AA06ES7355-2SH00-0AE0FM355-2S4回路溫度控制模塊集成在線優(yōu)化功能高精度溫度控制在S7-300F的中央機(jī)架上,可以混合使用防錯(cuò)和非防錯(cuò)(標(biāo)準(zhǔn))數(shù)字E/A模塊。為此,就像在ET200M中一樣,需要一個(gè)隔離模塊(MLFB:6ES7195-7KF00-0XA0),用來在中央和擴(kuò)展機(jī)架中隔離防錯(cuò)模塊和標(biāo)準(zhǔn)模塊。 3.工作存儲(chǔ)器(RAM) RAM集成在CPU中,不能被擴(kuò)展。另外,還可以看看在線硬件診斷,可以看看錯(cuò)誤產(chǎn)生的原因,是否模板壞了。
銷售6ES7412-1XJ05-0AB0:http://txq.testmart.cn/